论文《化学法阻挡层对金属_锗肖特基结构影响的研究》探讨了通过化学方法在金属-锗界面制备阻挡层对肖特基二极管性能的影响。研究结果表明，适当的阻挡层可以有效改善器件的电学特性，降低漏电流，提高稳定性。该工作为提升锗基肖特基器件性能提供了新的思路和技术支持，具有重要的应用价值。
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