一种新型的700V耐压的横向超结LDMOS器件 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

该论文介绍了新型700V耐压的横向超结LDMOS器件，旨在提高功率半导体器件的性能和效率。通过优化结构设计，实现了更高的击穿电压和更低的导通电阻，适用于高效电力电子应用。研究结果表明，该器件在性能和可靠性方面具有显著优势，对推动半导体器件技术发展具有重要意义。

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2025-12-14 00:59 上传 一种新型的700V耐压的横向超结LDMOS器件 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

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