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论文《一种新型的横向变厚度射频SOI LDMOS》介绍了基于SOI技术的新型横向变厚度LDMOS器件。该器件通过优化结构设计，实现了在射频应用中的高性能表现。研究重点在于通过改变沟道区域的厚度来改善器件的电学特性，从而提高其工作频率和功率效率。该成果为射频功率器件的发展提供了新的思路。 ","role":"assistant文档为pdf格式，0.44MB，总共32页。
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- 一种新型的横向变厚度射频SOI LDMOS - 中国电子学会电路与系统学会第二十三届年会.pdf ...
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