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《Si基腔外键合型共振腔增强InGaAs探测器》是2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会上的一篇重要论文。该研究聚焦于利用硅基材料与InGaAs探测器的结合，通过腔外键合技术实现共振腔增强效应，从而提升探测器的响应效率和性能。文章详细介绍了结构设计、制造工艺以及实验测试结果，展示了该技术在光电子器件领域的应用潜力。研究成果为高性能光电探测器的发展提供了新的思路，对推动硅基光电子集成技术具有重要意义。 文档为pdf格式，0.27MB，总共3页。
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