|
《SOI技术及其抗辐照能力研究 - 第十五届计算机工程与工艺年会暨第一届微处理器技术论坛》是一篇关于硅-on-绝缘体（SOI）技术及其在抗辐照性能方面的研究论文。文章探讨了SOI技术在提高集成电路抗辐射能力方面的优势，分析了其在航天、核能等高辐射环境中的应用潜力。通过实验和模拟，研究者评估了SOI器件在不同辐射条件下的性能变化，验证了其相较于传统体硅技术的优越性。该研究为开发高可靠性电子系统提供了理论支持和技术参考，对推动微电子技术在极端环境下的应用具有重要意义。 文档为pdf格式，0.39MB，总共6页。
- 文件大小:
- 399.36 KB
- 下载次数:
- 60
- SOI技术及其抗辐照能力研究 - 第十五届计算机工程与工艺年会暨第一届微处理器技术论坛.pdf ...
-
高速下载
| 
