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《SiGe RPCVD流体动力学模拟 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》是一篇关于半导体材料制备技术的学术论文。该文聚焦于SiGe薄膜的RPCVD（远距离等离子体化学气相沉积）工艺，通过流体动力学模拟分析了气体流动、传质及反应过程。研究旨在优化沉积参数，提高SiGe薄膜的质量与均匀性，为高性能半导体器件的制造提供理论支持。文章结合实验数据与数值模拟结果，展示了流体动力学模型在RPCVD工艺中的应用价值，对推动半导体材料的发展具有重要意义。 文档为pdf格式，0.73MB，总共4页。
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