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2011全国光电子与量子电子学技术大会中，有论文研究了P层厚度对Si基GaN垂直结构LED出光性能的影响。该研究通过调整P型GaN层的厚度，分析其对LED发光效率和光输出特性的影响。结果表明，适当增加P层厚度可以改善载流子注入效率，从而提高LED的出光效率。同时，过厚的P层可能导致光吸收增加，反而降低出光效果。因此，优化P层厚度对于提升Si基GaN垂直结构LED的性能具有重要意义。该研究为LED器件设计提供了理论依据和技术参考。 文档为pdf格式，0.96MB，总共5页。
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