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《PECVD生长SiO2薄膜的特性研究 - 第八届中国国际半导体照明论坛》是一篇关于等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备二氧化硅（SiO2）薄膜特性的研究论文。该文探讨了在不同工艺参数下，如温度、压力和气体比例对SiO2薄膜结构、厚度及电学性能的影响。研究结果表明，通过优化工艺条件，可以获得高质量、均匀且致密的SiO2薄膜，适用于半导体器件和光电子领域的绝缘层或钝化层。该论文在第八届中国国际半导体照明论坛上发表，为相关领域提供了重要的技术参考和理论支持。 文档为pdf格式，0.45MB，总共4页。
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