PMOS金属栅_高k有效功函数调制研究进展 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

《PMOS金属栅_高k有效功函数调制研究进展 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会》是一篇关于PMOS晶体管中金属栅与高k介质材料结合的功函数调制技术的研究综述。文章系统总结了当时在高k介质与金属栅集成中的关键问题，包括有效功函数的调控方法、界面态影响及器件性能优化策略。该研究对提升CMOS器件性能、降低漏电流和改善阈值电压具有重要意义，为后续先进制程中高k金属栅技术的发展提供了理论支持和技术参考。

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2025-12-14 00:22 上传 PMOS金属栅_高k有效功函数调制研究进展 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

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