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《4H-SiC VDMOS器件输出特性的仿真与拟合 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会》是一篇关于4H型碳化硅垂直双极晶体管（VDMOS）器件输出特性的研究论文。该文通过仿真方法对4H-SiC VDMOS的输出特性进行了深入分析，并尝试对其进行拟合，以提高器件性能的预测精度。文章探讨了器件在不同工作条件下的电流-电压特性，为后续器件设计和优化提供了理论依据。此次研讨会汇聚了众多专家学者，共同交流半导体器件领域的最新研究成果和技术进展，推动了我国半导体产业的发展。 文档为pdf格式，0.09MB，总共2页。
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