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《4H-SiC热导率的测试与分析 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会》是一篇关于4H型碳化硅材料热导率研究的论文。该文详细介绍了4H-SiC的热导率测试方法，包括实验原理、设备配置及测试流程。通过对不同样品的测量与分析，探讨了温度、掺杂等因素对热导率的影响。文章为4H-SiC在高温、高频电子器件中的应用提供了重要的理论依据和技术支持，对于推动半导体材料的发展具有重要意义。 文档为pdf格式，0.09MB，总共2页。
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