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《0.18μm锗硅HBT BiCMOS工艺中的pin开关二极管设计 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会》是一篇关于先进半导体器件设计的研究论文。文章聚焦于在0.18微米锗硅异质结双极晶体管（HBT）BiCMOS工艺中，针对PIN开关二极管的设计与优化。该研究旨在提升高频开关性能，满足现代通信系统对高速、低损耗器件的需求。通过结构设计与工艺参数的调整，作者提出了有效的设计方案，提高了PIN二极管的开关速度和可靠性。该成果对于推动高性能半导体器件的发展具有重要意义，并为后续相关技术研究提供了理论依据和技术支持。 文档为pdf格式，0.09MB，总共2页。
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