文档名：超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究
摘要：本文提出了一种具有超低特征导通电阻的沟槽栅横向双扩散场效应晶体管(TrenchGateLateralDou-ble-diffusedMOSFET,TG-LDMOS).本结构源极和漏极都在表面,与BCD(BipolarCMOSDMOS)工艺相兼容.通过引入介质沟槽、垂直栅极、栅极下方的源极多晶硅以及栅极右侧的厚氧化层,将传统集成型功率器件的一维耐压拓宽为二维耐压,包括横向耐压与纵向耐压两个方向.其中,纵向耐压不占用横向元胞尺寸,进而在相同耐压水平上,使TG-LD-MOS具有分立功率器件耐压效率高、导通电阻低的特点.本结构通过仿真优化做到了击穿电压(VB)为52V,特征导通电阻(Ron,sp)为10mΩ·mm2.结果表明,TG-LDMOS突破了硅器件的极限关系,与硅极限相比特征导通电阻降低了48%.
作者：吝晓楠 吴团庄 许超奇 李仁伟 张仪 薛璐洁 陈淑娴 林峰 刘斯扬 孙伟锋 Author：LINXiao-nan WUTuan-zhuang XUChao-qi LIRen-wei ZHANGYi XUELu-jie CHENShu-xian LINFeng LIUSi-yang SUNWei-feng
作者单位：东南大学电子科学与工程学院,江苏南京210096东南大学微电子学院,江苏无锡214000无锡华润上华科技有限公司,江苏无锡214000东南大学电子科学与工程学院,江苏南京210096;东南大学微电子学院,江苏无锡214000
刊名：电子学报 ISTICEIPKU
Journal：ActaElectronicaSinica
年，卷(期)：2023, 51(8)
分类号：TN323+.4
关键词：横向双扩散场效应晶体管 沟槽 横向元胞尺寸 击穿电压 特征导通电阻
Keywords：lateraldouble-diffusedmosfet trench lateralcellpitch breakdownvoltage specificon-resistance
机标分类号：TN386.1TN432TN722.75
在线出版日期：2023年11月23日
基金项目：超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究[
期刊论文] 电子学报--2023, 51(8)吝晓楠 吴团庄 许超奇 李仁伟 张仪 薛璐洁 陈淑娴 林峰 刘斯扬 孙伟锋本文提出了一种具有超低特征导通电阻的沟槽栅横向双扩散场效应晶体管(TrenchGateLateralDou-ble-diffusedMOSFET,TG-LDMOS).本结构源极和漏极都在表面,与BCD(BipolarCMOSDMOS)工艺相兼容.通过引入介质沟槽、垂直栅...参考文献和引证文献
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