文档名：高纯175Hf的制备
截至目前,公开发表的175Hf可参考半衰期实验值仅有三个,且各数据间存在一定分歧,分歧主要来源于175Hf测量源中往往伴随着181Hf或其它干扰核素,影响半衰期测量结果.为测量175Hf半衰期,本工作制备了无181Hf和其它干扰核素的高纯175Hf源.本工作采用离子溅射将纯金属Lu颗粒均匀镀在回旋加速器的专用Cu质衬底表面，并在回旋加速器上采用15.6MeV质子束流中轰击1小时，生成175Hf。冷却一段时间后，使用刀片轻刮Lu靶的离子溅射面，将镀层收集在烧杯中，加入过量浓硝酸置于电炉上加热溶解镀层，蒸干后，转换为8mol/LHCl介质。将溶解液通过φ6mm×55mm的HDEHP树脂柱，使用8mol/L盐酸淋洗杂质核素，1mol/LHCl-0.2mol/LHF混合酸解吸Hf,将收集的解吸液蒸发浓集，并转移至20ml液闪管中密封定量，获得纯度较高的175Hf测量源。分离流程对175Hf的化学收率>94％，对65Zn与56Co的去污因子分别达到5200与2300。分离后得到的无载体175Hf的纯度较高，没有181Hf和其他杂质核素的干扰，可用于175Hf半衰期测量。
作者：王秀凤丁有钱张雄寓
作者单位：中国原子能科学研究院放射化学研究所,北京102413
母体文献：第四届全国核化学与放射化学青年学术研讨会论文集
会议名称：第四届全国核化学与放射化学青年学术研讨会
会议时间：2017年5月20日
会议地点：南京
主办单位：中国化学会,中国核学会
语种：chi
分类号：
关键词：半衰期测量 测量源 高纯175铪 制备工艺
在线出版日期：2017年12月4日
基金项目：
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