文档名：高开关频率SiC逆变器的控制程序执行时间优化
本文的背景项目是研制一台基于SiCMOSFET的高功率密度电动汽车用驱动逆变器.为实现高功率密度的目标,需充分发挥SiC器件高频、高速和高效的优异性能,但随之而来的是对逆变器其他组件带来的更高性能要求.以主控代码为例,当SiC器件的开关频率提升到50kHz时,现有代码的执行时间已不能满足要求,成为制约控制频率上升的主要因素.要想发挥SiC器件的潜在优势,就要求在不减少原有功能的基础上,优化程序代码.本文以50kHz的控制频率为目标,综合使用函数转移到RAM中执行,函数重构,程序的交错执行等方法对基于TI的TMS320F28335的硬件平台的C语言控制程序进行优化,使得程序的总执行时间从基准代码的34.2μs减小到13.6μs,为基于SiCMOSFET的高功率密度变频器的研制做好软件上的准备.
作者：何国林 国敬 范涛 温旭辉
作者单位：中国科学院电工研究所,北京100190;中国科学院大学,北京100190中国科学院电工研究所,北京100190;中国科学院电力电子和电气驱动重点实验室,北京100190中国科学院电工研究所,北京100190;北京市电动车辆协同创新中心,北京100081
母体文献：北京电力电子学会2017电力电子论坛论文集
会议名称：北京电力电子学会2017电力电子论坛
会议时间：2017年9月1日
会议地点：北京
主办单位：北京电力电子学会
语种：chi
分类号：
关键词：碳化硅逆变器 控制程序 执行时间 基准代码 开关频率
在线出版日期：2020年11月30日
基金项目：
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