文档名：电子系统抗瞬时电离辐射加固技术研究
本文研究了基于ARM微控制器的电路系统的瞬时电离辐射效应,针对其复位、大电流闭锁和烧毁的现象,深入研究了机理,提出了自顶层向下的“系统抗剂量率加固设计方法”,解决了实现该加固设计所面临的几个关键技术问题,并对加固性能和系统性能进行了匹配设计.研制了抗瞬时电离辐射加固样机,在“强光一号”加速器上完成了验证试验,试验结果表明:在较高γ剂量率条件下,加固样机成功规避了复位和大电流闭锁效应,功能和状态均运行正常,满足使用要求.
作者：杜川华赵洪超曾超
作者单位：中国工程物理研究院电子工程研究所
母体文献：2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议论文集
会议名称：2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议
会议时间：2016年7月19日
会议地点：兰州
主办单位：中国核学会
语种：chi
分类号：TM4TN4
关键词：电路系统 ARM微控制器 瞬时电离辐射效应 加固技术
在线出版日期：2022年3月25日
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