分压诱导的一维InxAl1_xN纳米材料的形貌及成分调变

文档名：分压诱导的一维InxAl1_xN纳米材料的形貌及成分调变
一维InAIN纳米材料在光电子领域具有广阔应用前景,但由于InN与AIN之间的巨大晶格失配,其合成和成分调变极具挑战.通过lnCI3、A1C13与NH3的化学气相沉积过程成功合成了三元InxAI,_xN一维纳米结构,增加InC13和AICI3的蒸气压之比可使其形貌经历从纳米锥到纳米柱、纳米刷、纳米锥的演变,其In含量在0～5at％之间调变.光致发光测试表明InxAI,_xN一维纳米材料具有优异的蓝光发射性能.
作者：杜玲玉吴强胡征
作者单位：南京大学化学化工学院
母体文献：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会论文集
会议名称：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会  
会议时间：2017年10月1日
会议地点：上海
主办单位：上海市真空学会,江苏省真空学会,安徽省真空学会,浙江省真空学会
语种：chi
分类号：TN3O4
关键词：一维纳米半导体  氮化铟铝  化学气相沉积  分压匹配  形貌调控  成分调变  蓝光发射性能
在线出版日期：2021年3月22日
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2024-12-9 19:57 上传 分压诱导的一维InxAl1_xN纳米材料的形貌及成分调变.pdf

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