Siox薄膜的电致阻变特性及机理研究.pdf
SiOx基薄膜具有与当前CMOS半导体集成电路工艺兼容的先天优势,是新概念存储技术-RRAM的理想侯选材料,而当前国际上相关研究尚处在现象报道为主的起步阶段,电致阻变的稳定性亟待提高,阻变机理也有待于进一步澄清.本文将通过调节磁控溅射技术的工艺参数来调节SiOx薄膜的微观结构和阻变性能,通过XPS来研究其阻变机理.
作者：尚杰
作者单位：中国科学院宁波材料技术与工程研究所,宁波315201
母体文献：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会论文集
会议名称：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会
会议时间：2017年10月1日
会议地点：上海
主办单位：上海市真空学会,江苏省真空学会,安徽省真空学会,浙江省真空学会
语种：chi
分类号：
关键词：硅氧化物薄膜 磁控溅射 微观结构 电致阻变性能
在线出版日期：2021年3月22日
基金项目：
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