T_CASAS 032-2023 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法

标准编号：T/CASAS032—2023
中文标题：碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
英文标题：Testmethodforthecontentofmetalelementsonthesurfaceofsiliconcarbidewafer—Inductivelycoupledplasmamassspectrometry
国际标准分类号：31-030
中国标准分类号：
国民经济分类：C398电子元件及电子专用材料制造
发布日期：2023年06月19日
实施日期：2023年06月19日
起草人：崔潆心、陈秀芳、谢雪健、杨祥龙、徐现刚、来玲玲、于国建、冯淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、赵海明、钮应喜、金向军、徐瑞鹏
起草单位：山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
范围：
主要技术内容：本文件描述了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法。本文件适用于碳化硅单晶抛光片和碳化硅外延片表面痕量金属钠、铝、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、钨、金、汞等元素含量的测定，测定范围为108cm-2～1012cm-2。本文件适用于100mm(4吋)～200mm(8吋)碳化硅原生晶片、碳化硅退火片等无图形碳化硅晶片表面痕量金属元素含量的测定。注：　碳化硅晶片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。

关键词：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟,T/CASAS,电子元件及电子专用材料制造,金属元素,等离子体,碳化硅

T_CASAS 032-2023 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法.pdf

2024-9-29 15:42 上传 T_CASAS 032-2023 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法.pdf

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