T_NXCL 30-2024 300 mm低氧含量直拉硅单晶

标准编号：T/NXCL30—2024
中文标题：300mm低氧含量直拉硅单晶
英文标题：300mmlowoxygencontentsinglecrystalineCzochralskisilicon
国际标准分类号：29.045
中国标准分类号：
国民经济分类：C398电子元件及电子专用材料制造
发布日期：2024年02月06日
实施日期：2024年02月06日
起草人：芮阳、商润龙、王黎光、杨少林、陈亚、赵泽慧、白圆、马成、曹启刚、王忠保、熊欢、李聪、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林、黄柳青、盛旺
起草单位：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司
范围：
主要技术内容：本文件规定了300mm低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为300mm的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件的衬底。

关键词：宁夏材料研究学会,T/NXCL,电子元件及电子专用材料制造,低氧,含量,单晶

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2024-9-29 12:45 上传 T_NXCL 30-2024 300 mm低氧含量直拉硅单晶.pdf

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