[电子元器件与信息技术] GBT 4937.17-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分:中子辐照

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2026-2-9 07:12 | 查看全部 阅读模式
半导体器件机械和气候试验方法第17部分:中子辐照
Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part17:Neutronirradiation

摘要:本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用,是一种破坏性试验。试验目的如下:a)检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系;b)确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内(见第4章)。

标准编号:GB/T4937.17-2018
标准类型:GB
发布单位:国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
发布日期:2018年1月1日
强制性标准:否
实施日期:2019年1月1日
关键词:

GB/T 4937.17-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分:中子辐照.pdf
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