脉冲负偏压的占空比对多孔氧化硅薄膜拉曼光谱的影响 - 第七届中国国际纳米科技(武汉)研讨会.pdf

会议论文《脉冲负偏压的占空比对多孔氧化硅薄膜拉曼光谱的影响》探讨了在制备多孔氧化硅薄膜过程中，脉冲负偏压占空比对材料结构特性的影响。通过拉曼光谱分析，研究发现占空比变化显著影响薄膜的微观结构和光学性质，为优化薄膜制备工艺提供了理论依据。

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脉冲负偏压的占空比对多孔氧化硅薄膜拉曼光谱的影响 - 第七届中国国际纳米科技(武汉)研讨会.pdf

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