会议论文《碳化硅晶片的氧化脱炭研究》发表于2008年全国冶金物理化学学术会议，主要探讨了碳化硅晶片在氧化过程中的脱炭行为及其机理。研究通过实验分析了不同温度和气氛条件下碳化硅的氧化特性，为提高碳化硅材料的纯度和性能提供了理论依据和技术支持。
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