会议论文《孔隙率对20_BN_Si3N4复合多孔陶瓷力学与介电性能的影响》探讨了不同孔隙率对材料力学性能和介电性能的影响。研究结果表明，随着孔隙率的增加，材料的抗弯强度下降，但介电常数和介电损耗有所降低。该研究为多孔陶瓷在电子器件中的应用提供了理论依据和技术支持。
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