基于阈值电压的P-Si TFT模型研究进展 - 中国电子学会第十四届青年学术年会.pdf

会议论文《基于阈值电压的P-Si TFT模型研究进展》由中国电子学会第十四届青年学术年会发表，探讨了多晶硅薄膜晶体管（P-Si TFT）在阈值电压方面的建模方法。文章综述了近年来相关研究的进展，分析了不同模型在性能预测和器件设计中的应用，为P-Si TFT的优化提供了理论依据和技术支持。

文档为pdf格式，0.37MB，总共4页。

基于阈值电压的P-Si TFT模型研究进展 - 中国电子学会第十四届青年学术年会.pdf

文件大小:

378.88 KB

高速下载