会议论文《国产VDMOS辐射效应研究》发表于中国电子学会第十四届青年学术年会，主要探讨了国产垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）器件在辐射环境下的性能变化。该研究通过实验分析了不同辐射剂量对器件电特性的影响，评估了其在高辐射环境中的可靠性与稳定性，为国产功率器件的抗辐射设计提供了理论依据和技术支持。
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