会议论文《化学水浴法制备Cu(In_Ga)Se2薄膜电池ZnS缓冲层的研究》探讨了采用化学水浴法在Cu(In_Ga)Se2薄膜上制备ZnS缓冲层的工艺与性能。研究分析了不同实验参数对ZnS薄膜结构和光电特性的影响，旨在提升薄膜太阳能电池的效率与稳定性。该成果为高效、低成本的光伏器件制备提供了新思路。
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