会议论文《一种带有场板结构的高压SOI LDMOS特性研究》探讨了在SOI技术基础上设计的高压LDMOS器件，重点分析了场板结构对器件性能的影响。该研究通过仿真与实验验证，表明场板结构能够有效改善电场分布，提升器件击穿电压和工作稳定性，为高性能功率集成电路的设计提供了理论依据和技术支持。
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