会议论文《Li3N-Mn复合助熔剂生长GaN单晶体》发表于华北地区硅酸盐学会第九届学术交流会。该研究探讨了利用Li3N-Mn复合助熔剂方法生长氮化镓（GaN）单晶体的工艺与性能。通过优化助熔剂配比和生长条件，提高了GaN晶体的质量和尺寸，为高性能半导体器件提供了优质材料基础。
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