CMOS抗辐射加固电路RHBD技术研究 - 电子科技大学电子科学技术研究院第四届学术会议.pdf

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2026-1-12 07:22 | 查看全部 阅读模式

会议论文《CMOS抗辐射加固电路RHBD技术研究》由电子科技大学电子科学技术研究院第四届学术会议发表。该文探讨了CMOS电路在辐射环境下的可靠性问题,重点研究了RHBD(Radiation Hardened by Design)技术,提出了一系列有效的抗辐射设计方法,以提升电路在高辐射环境中的稳定性与可靠性,对航天电子等领域具有重要应用价值。

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CMOS抗辐射加固电路RHBD技术研究 - 电子科技大学电子科学技术研究院第四届学术会议
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