高功率BCD工艺中的VDMOS器件设计 - 2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会.pdf

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2026-1-11 22:44 | 查看全部 阅读模式

会议论文《高功率BCD工艺中的VDMOS器件设计》发表于2009年四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会。该文探讨了在高功率BCD工艺中VDMOS器件的设计方法,分析了其结构优化与性能提升策略,对提高器件的导通电阻、击穿电压及热稳定性具有重要意义。

文档为pdf格式,0.44MB,总共3页。

高功率BCD工艺中的VDMOS器件设计 - 2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会
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