会议论文《工作状态对JFET输入运算放大器辐射损伤的影响》探讨了不同工作状态下JFET输入型运算放大器在辐射环境下的性能变化。研究结果表明，工作状态显著影响器件的辐射敏感性，尤其在高偏置电流条件下，辐射损伤更为明显。该论文为中国核学会2009年学术年会提供了重要的实验数据，有助于提升电子器件在辐射环境中的可靠性设计。
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