单晶硅生长技术研究进展 - 第28届全国化学与物理电源学术年会.pdf

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2026-1-11 13:58 | 查看全部 阅读模式

会议论文《单晶硅生长技术研究进展》发表于第28届全国化学与物理电源学术年会,系统总结了近年来单晶硅生长技术的最新研究成果。文章详细介绍了CZ法、区熔法等主要生长方法的工艺优化与技术创新,分析了不同生长条件对单晶硅质量的影响,并探讨了未来发展方向。该研究对提升太阳能电池和半导体器件性能具有重要意义。

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单晶硅生长技术研究进展 - 第28届全国化学与物理电源学术年会
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