低介电损耗AlN陶瓷及BN-AlN基陶瓷材料研究 - 电子陶瓷、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳应用研讨会.pdf

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2026-1-11 13:00 | 查看全部 阅读模式

会议论文《低介电损耗AlN陶瓷及BN-AlN基陶瓷材料研究》探讨了高性能氮化铝陶瓷及其复合材料的制备与性能优化。研究聚焦于降低介电损耗,提升材料在高频电子器件中的应用潜力。同时,论文还涉及陶瓷-金属封接技术及真空开关管用陶瓷管壳的开发,为电子封装领域提供了新的材料解决方案。

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低介电损耗AlN陶瓷及BN-AlN基陶瓷材料研究 - 电子陶瓷、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳应用研讨会
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