一种积累层沟道TIGBT的特性其正向压降模型的建立 - 中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛.pdf

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2026-1-11 12:12 | 查看全部阅读模式

会议论文《一种积累层沟道TIGBT的特性及其正向压降模型的建立》探讨了新型TIGBT器件的结构优化与性能分析。文章提出了一种积累层沟道结构，有效提升了器件的导通性能。同时，建立了正向压降的数学模型，为TIGBT的设计与应用提供了理论依据。该研究对电力电子器件的发展具有重要意义。

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