2009年全国微波毫米波会议上发表的会议论文《一种新型结构AlGaN_GaN HEMT设计》，介绍了基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管（HEMT）的新结构。该研究旨在提高器件性能，增强其在高频和高功率应用中的可靠性。通过优化材料结构和界面特性，论文提出了改进的器件设计方法，为后续高性能微波器件的发展提供了理论支持和技术参考。
文档为pdf格式，0.13MB，总共4页。
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