会议论文《SiC晶体生长中流场的优化设计》发表于中国工程热物理学会传热传质学2009年学术会议。该文针对SiC晶体生长过程中的流场分布问题，提出优化设计方案，以提高晶体生长质量与均匀性。研究通过数值模拟方法分析了不同流场结构对温度场和浓度场的影响，为实际工艺改进提供了理论依据。
文档为pdf格式，0.07MB，总共4页。
举报
