I_O库ESD保护电路模拟与分析 - 第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’).pdf

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2026-1-11 10:34 | 查看全部 阅读模式

会议论文《I_O库ESD保护电路模拟与分析》发表于第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’),主要探讨了I/O端口静电放电(ESD)保护电路的设计与仿真。文章通过模拟分析,评估了不同保护结构在防止静电损害方面的有效性,为提高集成电路的可靠性提供了理论支持和技术参考。

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I_O库ESD保护电路模拟与分析 - 第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’)
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