会议论文《高压SOI-LIGBT特性研究》发表于2010年全国半导体器件技术研讨会，主要探讨了高压绝缘体上硅（SOI）横向双极晶体管（LIGBT）的电学特性。文章分析了器件结构对性能的影响，包括导通压降、开关速度及耐压能力等关键参数，为高压功率集成电路的设计提供了理论依据和技术支持。
文档为pdf格式，0.63MB，总共4页。
举报
