会议论文《肖特基接触对类MOS碳纳米管场效应管的影响》发表于第十四届计算机工程与工艺会议(NCCET10)，探讨了肖特基接触在类MOS碳纳米管场效应管中的作用。研究分析了肖特基接触对器件性能的影响，包括电流特性、阈值电压及开关比等关键参数。结果表明，优化肖特基接触可显著提升器件性能，为碳纳米管电子器件的发展提供了理论支持和技术参考。
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