多线切割硅片损伤层研究 - 第十一届中国光伏大会暨展览会.pdf

7 0
2026-1-11 03:11 | 查看全部 阅读模式

会议论文《多线切割硅片损伤层研究 - 第十一届中国光伏大会暨展览会》探讨了多线切割技术对硅片表面损伤层的影响。文章分析了切割参数与损伤层深度之间的关系,提出了优化切割工艺的建议,以提高硅片质量。该研究对于提升光伏材料性能和降低生产成本具有重要意义。

文档为pdf格式,0.36MB,总共3页。

多线切割硅片损伤层研究 - 第十一届中国光伏大会暨展览会
文件大小:
368.64 KB
高速下载
2026 资料下载 联系邮件:1991591830#qq.com 浙ICP备2024084428号-1