会议论文《元素掺杂对Bi电迁移影响的第一原理计算》发表于2010年中国材料研讨会，研究采用第一原理方法分析了不同元素掺杂对铋（Bi）电迁移行为的影响。通过计算电荷密度、能带结构及迁移势垒等参数，揭示了掺杂元素如何改变Bi的电子特性与原子间相互作用，从而影响其电迁移性能。该研究为优化半导体材料性能提供了理论依据。
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