低温漂高电源抑制的CMOS带隙电压基准源 - 中国电子学会电路与系统学会第二十二届年会.pdf

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2026-1-11 01:28 | 查看全部 阅读模式

会议论文《低温漂高电源抑制的CMOS带隙电压基准源》发表于中国电子学会电路与系统学会第二十二届年会。该文提出一种改进的CMOS带隙电压基准源结构,有效降低了温度系数,并提高了电源抑制比。通过优化电路设计,实现了更高的稳定性和精度,适用于对电压基准要求严格的低功耗集成电路应用。

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低温漂高电源抑制的CMOS带隙电压基准源 - 中国电子学会电路与系统学会第二十二届年会
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