会议论文《MBE和HVPE制备GaN光学性质 - 2010年中国光电高峰论坛》探讨了两种主要制备GaN材料的方法——分子束外延（MBE）和氢化物气相外延（HVPE）的光学特性。文章比较了两种方法在光致发光、吸收谱及载流子行为等方面的差异，分析了其对GaN器件性能的影响，为优化GaN基光电子器件提供了理论依据和技术参考。
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