会议论文《Buffer Layers Used for the Growth of GaN Epitaxial Films》介绍了在GaN外延薄膜生长中缓冲层的应用。文章探讨了不同缓冲层材料对GaN晶体质量的影响，分析了其在降低缺陷密度和改善薄膜性能方面的作用。该研究为提高GaN器件的性能提供了重要参考，是2010年中国材料研讨会的重要成果之一。
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