会议论文《4H-SiC浮结型肖特基势垒二极管的数值模拟》探讨了基于4H-SiC材料的浮结型肖特基势垒二极管的性能优化。通过数值模拟方法，研究了器件结构对电场分布、击穿电压及导通特性的影响，为高性能功率器件的设计提供了理论依据和技术支持。
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