该会议论文介绍了在Si-SiGe-Si-SOI异质结构中位错偶极子的高分辨像研究。通过电子显微技术，作者详细分析了位错偶极子的形貌与分布特征，揭示了其在材料生长过程中的形成机制。研究结果对理解SiGe异质结中的缺陷行为具有重要意义，为优化器件性能提供了理论依据。
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