会议论文《InP基InAs量子点和GaInAsP浸润层竞争发光》探讨了在InP基底上生长的InAs量子点与GaInAsP浸润层之间的发光竞争机制。研究通过实验分析了两种结构的光学特性，揭示了其在光电子器件中的潜在应用价值。该文为优化量子点发光性能提供了理论依据和技术参考，对红外光源和探测器的发展具有重要意义。
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