背层技术的倍频YAG激光晶化多晶硅 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 15:24 | 查看全部阅读模式

会议论文《背层技术的倍频YAG激光晶化多晶硅》探讨了利用倍频YAG激光对多晶硅进行晶化处理的新方法。该研究通过引入背层技术，有效提高了激光能量的利用率和晶化效果，为半导体器件制造提供了新的技术路径。论文在2013年全国半导体器件技术、产业发展研讨会上发表，对推动微纳电子技术发展具有重要意义。

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