耦合腔行波管用Mg2SiO4-SiC型陶瓷介质衰减材料 - 中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会.pdf

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2026-1-10 15:21 | 查看全部 阅读模式

会议论文《耦合腔行波管用Mg2SiO4-SiC型陶瓷介质衰减材料》探讨了适用于耦合腔行波管的新型陶瓷介质衰减材料。该材料以Mg2SiO4和SiC为基体,具有优良的微波吸收性能和热稳定性。研究旨在提升行波管的工作效率与可靠性,对真空电子器件的发展具有重要意义。

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耦合腔行波管用Mg2SiO4-SiC型陶瓷介质衰减材料 - 中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
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